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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計(jì)是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器（PSRAM）及鐵電隨機(jī)存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計(jì)算每個位的成本時(shí)具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。
VTIVilsion  Technology Inc.主要生產(chǎn)pSRAM芯片產(chǎn)品，長期為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)，醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)，開發(fā)和銷售高性能，高性價(jià)，高品質(zhì)pSRAM芯片產(chǎn)品，以高性價(jià)比的高品質(zhì)半導(dǎo)體產(chǎn)品瞄準(zhǔn)高增長市場，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。 即使在制造能力緊張的時(shí)期，我們也一直是靜態(tài)記憶產(chǎn)品的長期供應(yīng)商。
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