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       Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商之一的NAND FLASH廠家。
 由于濟(jì)州半導(dǎo)體出道到SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和4M SRAM及NAND FALSH產(chǎn)品,濟(jì)州半導(dǎo)體持續(xù)實(shí)施全系列NAND FLASH產(chǎn)品通過(guò)4Gb、2Gb、1Gb NAND FALSH。
濟(jì)州半導(dǎo)體的NAND FALSH是建立在強(qiáng)大的存儲(chǔ)單元的技術(shù),以高質(zhì)量,高穩(wěn)定,高品質(zhì)的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)獲得廣大客戶的認(rèn)可,濟(jì)州半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品已被公認(rèn)為最強(qiáng)大的存儲(chǔ)解決方案,可以穩(wěn)定地運(yùn)行任何嚴(yán)謹(jǐn)?shù)沫h(huán)境下可以通過(guò)移動(dòng)手機(jī)。濟(jì)州半導(dǎo)體是由世界領(lǐng)先的手機(jī)制造商公認(rèn)的一個(gè)最可靠的NAND FALSH制造商。除了手機(jī)應(yīng)用,濟(jì)州半導(dǎo)體NAND FALSH提供產(chǎn)品應(yīng)用在全世界。
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4Gb x8 JS27HU4G08SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無(wú)
4Gb x16 JS27HU4G16SDN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無(wú)
4Gb x8 JS27HU4G08SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無(wú)
4Gb x16 JS27HU4G16SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無(wú)
2Gb x8 JS27HU2G08SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無(wú)
2Gb x16 JS27HU2G16SAN-25 1-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無(wú)
2Gb x8 JS27HU2G08SADA-25 1-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無(wú)
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2Gb x8 JS27HU2G08SCN-25 4-bit 3.3V 48 TSOP1 (12 x 20mm) SLC 暫無(wú)
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2Gb x8 JS27HU2G08SDDA-25 4-bit 3.3V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無(wú)
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2Gb x8 JS27HP2G08SCDA-45 4-bit 1.8V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無(wú)
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1Gb x8 JS27HP1G08SCDA-45 4-bit 1.8V 63B (9.0mm x 11.0mm) SLC 暫無(wú)
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