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多芯片封裝(NAND MCP)產(chǎn)品以基于不同存儲(chǔ)技術(shù)工藝設(shè)計(jì)在同一基板上，卓越性的晶片堆疊技術(shù)不僅優(yōu)化電路板的設(shè)計(jì)空間,還將不同存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)品，包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1,DDR2或DDR4設(shè)計(jì)在一個(gè)基板上，為應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更快的啟動(dòng)時(shí)間，更長(zhǎng)的電池壽命和更高的可靠性，NAND MCP主流產(chǎn)品的組合為1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商之一的NAND MCP廠家。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體NAND MCP產(chǎn)品線主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP+LPDDR2,的產(chǎn)品更新到4Gb + 4Gb的容量，JSC NAND MCP是由工業(yè)級(jí)的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封裝在一起，不僅減小體積，同時(shí)能夠減少外部電路的干擾，增強(qiáng) Flash 和 DDR 的通信能力，提升系統(tǒng)整體的性能和可靠性。應(yīng)用如手機(jī)，平板，數(shù)據(jù)卡，通訊模塊，物聯(lián)網(wǎng)模塊，和可穿戴產(chǎn)品。
Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) ECC Speed Page Size Package Type PDF下載
4Gb + 4Gb JSFCCK3YH3BBL-425 4Gb x8 SLC 4Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
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4Gb + 4Gb JSFCCK3YH3BBL-425A 4Gb x8 SLC 4Gb x32 LPDDR2 4-bit 533MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
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4Gb + 2Gb JSFCBB3YH3BBD-425 4Gb x8 SLC 2Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (11.5mm x 13mm) 暫無(wú)
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2Gb + 1Gb JSFBAB3YHABBG-425 2Gb x8 SLC 1Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
2Gb + 1Gb JSFBAB3YHBBBG-425A 2Gb x8 SLC 1Gb x32 LPDDR2 4-bit 533MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
2Gb + 1Gb JSFBAB3YHBBBG-425 2Gb x8 SLC 1Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
1Gb + 1Gb JSFAAB3YHBBBG-425 1Gb x8 SLC 1Gb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
1Gb + 1Gb JSFAAB3YHBBBG-425A 1Gb x8 SLC 1Gb x32 LPDDR2 4-bit 533MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
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1Gb + 512Mb JSFA9B3YHBBBG-425 1Gb x8 SLC 512Mb x32 LPDDR2 4-bit 400MHz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
1Gb + 512Mb JSFA9B3YHBBBG-425A 1Gb x8 SLC 512Mb x32 LPDDR2 4-bit 533Mhz 2K page 162B (8mm x 10.5mm) 暫無(wú)
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