ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片，位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生了高性能和低功耗的設(shè)備。當(dāng)CE為高電平時(shí)，器件進(jìn)入待機(jī)模式下的功耗可以通過(guò)CMOS輸入電平降低。通過(guò)使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE可以輕松擴(kuò)展內(nèi)存。有效的低寫(xiě)入使能(WE)控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。同時(shí)支持工業(yè)和汽車溫度。完全靜態(tài)操作,無(wú)需時(shí)鐘或刷新。IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP-II封裝。
 
偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機(jī)存取SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個(gè)輸出使能引腳，其運(yùn)行速度快于讀取周期的地址訪問(wèn)時(shí)間。而EMI502NF08VM-10C允許通過(guò)數(shù)據(jù)字節(jié)控制(UB,LB)訪問(wèn)上下字節(jié)?？焖僭L問(wèn)時(shí)間10ns，采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44引腳TSOP-II封裝。該器件采用先進(jìn)的CMOS工藝，基于6-TR的單元技術(shù)制造，專為高速電路技術(shù)而設(shè)計(jì)。它是特別適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。此款EMI502NF08VM-10C國(guó)產(chǎn)SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND。代理商英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品技術(shù)解決方案。
 
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注國(guó)產(chǎn)SRAM芯片存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國(guó)際知名設(shè) 計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與國(guó)內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。深挖客戶應(yīng)用，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合世界前沿的技術(shù)理念快速響應(yīng)客戶的變化需求，為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。


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