目前唯一可行的SRAM替代品就是更多的SRAM，因此預計SRAM會直接占用更多的面積。這并不是說不期望更多的 SRAM 擴展。雖然確實希望臺積電和其他代工廠生產(chǎn)更密集的SRAM，但歷史上的擴展似乎已經(jīng)正式結束。
 
除了SRAM，業(yè)界一直在研究許多其他替代內(nèi)存架構。新興的內(nèi)存技術包括 MRAM、FeRAM、NRAM、RRAM、STT-RAM、PCM 等。與SRAM 相比，這些新興的內(nèi)存位單元提供了獨特的權衡，例如在較低的讀/寫規(guī)范下具有更高的密度、非易失性能力、較低的讀寫周期能力，或者在可能較低的密度或速度下具有較低的功耗。雖然它們不是 SRAM 的直接替代品，但向前發(fā)展它們可能會扮演4級或5級緩存的角色，其中較低的性能權衡可以通過更高的密度來抵消。


本文關鍵詞：SRAM

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