中國今年提出了要求加快5G網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進度，在新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)七個領(lǐng)域中，新能源充電樁在列。相比較加油站的充電樁能夠承載更多的信息，除電流外還有信息流、資金流等等。作為車聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)采集的主要端口，充電樁網(wǎng)絡的大面積建成一定會成為未來社會交通系統(tǒng)的重要信息平臺。
 
充電樁數(shù)據(jù)的記錄和存儲的非常重要的。充電樁是給新能源汽車提供電能的配套產(chǎn)品，充電樁在運作中需要處理大量的參數(shù)，通過系統(tǒng)監(jiān)測數(shù)據(jù)和事件信息，實現(xiàn)設(shè)備集中遠程監(jiān)控，為設(shè)備故障診斷提供必要的數(shù)據(jù)支持，也為電站綜合管理提供全面的統(tǒng)計數(shù)據(jù)和各類統(tǒng)計報表。為此所有數(shù)據(jù)必須進行統(tǒng)一的采集、查看和分析，并提供設(shè)備運行狀態(tài)實時監(jiān)測、危險警告與通知、數(shù)據(jù)查詢分析、設(shè)備運行總額和管理等功能。
 
充電樁生產(chǎn)商需要挑選合適的存儲芯片產(chǎn)品予以應對，其數(shù)據(jù)存儲芯片的應用需求與智能表計非常相似。目前的鐵電存儲器在智能電表行業(yè)已經(jīng)作為標準存儲器被廣泛采用，其具備的三個優(yōu)勢是許多同類型存儲器芯片無法比擬的。FRAM存儲器的三大優(yōu)勢分別是高速寫入、耐久性以及低功耗。與EEPROM對比，F(xiàn)RAM存儲器寫入次數(shù)壽命高達10萬億次，而EEPROM芯片卻僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM存儲器寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成，速度約為EEPROM存儲器的3萬倍。寫入一個字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ，約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中是具備有巨大的優(yōu)勢。
 

 
 
FRAM、EEPROM、FLASH主要參數(shù)對比

 
富士通FRAM能夠進行高速寫入且實現(xiàn)高速擦除。以保障數(shù)據(jù)安全為例，若遇到黑客違法盜取及分析充電樁的機密數(shù)據(jù)信息，將導致大范圍的信息泄露。對此低功耗和高速的FRAM可以利用小型電池電源，瞬間消去重要數(shù)據(jù)，從而確保用戶的信息安全。這時FRAM僅需0.1mA的工作電流，就能夠在0.3ms的時間內(nèi)擦除256bit的數(shù)據(jù)，相比EEPROM擁有顯著的優(yōu)勢。富士通代理商英尚微電子支持提供應用解決等產(chǎn)品服務。
 

 
 
FRAM、EEPROM、FLASH工作電流與消去時間對比

 
 

本文關(guān)鍵詞：FRAM  汽車FRAM

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