賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。具有控制器的典型NV-SRAM接口如圖1所示。

   
高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫(xiě)訪問(wèn)，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無(wú)限次地寫(xiě)入或讀取NV-SRAM。如果斷電則利用存儲(chǔ)在與NV-SRAM的VCAP引腳相連的小電容器中的電荷將SRAM中保存的數(shù)據(jù)傳輸?shù)脚c每個(gè)SRAM單元集成的非易失性元件。 NV-SRAM VCAP引腳上需要的電容器只有幾十µF，典型值為68 µF（有關(guān)VCAP的允許范圍，并在上電期間通過(guò)內(nèi)部充電電路進(jìn)行充電。 VCAP上存儲(chǔ)的電荷足以在掉電期間將SRAM數(shù)據(jù)復(fù)制到非易失性元件（稱(chēng)為存儲(chǔ)操作）。
 
此存儲(chǔ)操作對(duì)應(yīng)用程序是透明的，因?yàn)楫?dāng)VCC電源在閾值水平（VSWITCH）以下故障時(shí)會(huì)自動(dòng)執(zhí)行該存儲(chǔ)操作。數(shù)據(jù)從SRAM到集成非易失性元件的并行傳輸意味著存儲(chǔ)（將SRAM數(shù)據(jù)傳輸?shù)椒且资栽┧ㄙM(fèi)的時(shí)間等于一次EEPROM寫(xiě)（字節(jié)寫(xiě)或頁(yè)寫(xiě)）操作。上電時(shí)非易失性數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)傳送回SRAM，這稱(chēng)為RECALL操作。這使NV-SRAM成為真正的非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電時(shí)將數(shù)據(jù)保存在其非易失性元素中，而無(wú)需任何外部電源備份，例如電池或Supercaps。
 
NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也可以通過(guò)軟件命令按需執(zhí)行。 NV-SRAM具有許多其他功能，新應(yīng)用程序可以使用這些功能。
 
與其他現(xiàn)有電路解決方案相比，賽普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最可靠的非易失性解決方案。
 
 
本文關(guān)鍵詞：藍(lán)牙SOC芯片

上一篇文章： 基于Cortex-M0的藍(lán)牙SOC芯片及開(kāi)發(fā)系統(tǒng)
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。