SIC MOSFET它通常用于高壓和大功率電源。由于系統(tǒng)要求這種電源應保護原副邊的隔離，因此通過變壓器從一側到另一側傳遞能量，控制器通常放置在其中一側，如副邊，以驅動原邊的SIC MOSFET時候，副邊控制器發(fā)出的驅動信號必須通過隔離方式的驅動方式傳遞到原來的才能驅動它。
 
選擇隔離模式，可以對原邊高壓電路的地和副邊控制器的地進行單獨設計，防止高壓電路對低壓控制電路的損壞。同時，一些不必要的通信或直流信號不會從高壓側傳輸?shù)降蛪簜?，從而提高驅動電路的穩(wěn)定性。這是碳化硅驅動電路的典型規(guī)定。
 
傳統(tǒng)的隔離方法是光耦合隔離，它具有更好的抑制瞬態(tài)和噪聲能力，但缺點是光耦合的增益可以隨時間變化。另一種常見的隔離方法是磁性隔離，但在磁場環(huán)境中，應用將受到限制。容性保護也是一種常見的隔離方法。它在高壓和外部磁場的敏感性方面具有很大的優(yōu)勢。同時，它也適用于快速開關操作，以保持較小的延遲。


本文關鍵詞：SIC MOSFET

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