MRAM應(yīng)用在汽車系統(tǒng)中提高性能并減低成本
2023-11-02 09:20:01
MRAM是一種新型非易失存儲器,采用電子的自旋屬性表征數(shù)據(jù)信息的存儲及傳輸,具備高速讀寫、低功耗、高密度、耐擦寫、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢,被廣泛認(rèn)為是下一代非易失存儲芯片的理想選擇。MRAM具能夠?qū)⒋鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。
在汽車應(yīng)用上面,
Netslo MRAM非易失性存儲器幾乎可以在任何汽車系統(tǒng)中提高性能并降低成本,保護有價值的數(shù)據(jù)并降低成本MRAM內(nèi)存是保留的車輛數(shù)據(jù),簡化設(shè)計并降低BOM成本的最佳解決方案。是保護數(shù)據(jù)的最佳解決方案.樣品測試及詳情信息歡迎咨詢官方代理英尚微電子。
核心特征
-容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
-電源供應(yīng) :1.8V(1.71V~1.98V)或3.3V(2.7V~3.6V)
-具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線、雙線和四線SPI。
-數(shù)據(jù)保存期 :10年
-讀取耐力 :無限
-寫入耐力 : 10
14
-無需外部ECC
-工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳及封裝 :8WSON、8SOP
本文關(guān)鍵詞:MRAM,Netslo MRAM
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