汽車工業(yè)中的everspin隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM
2019-12-26 09:47:19
汽車動(dòng)力總成模塊使用閃存技術(shù)在斷電(保持活動(dòng)內(nèi)存(KAM)和非易失性內(nèi)存(NVM))期間保留重要的控制和診斷信息。復(fù)雜的軟件必須設(shè)計(jì)為最大化這些設(shè)備的生命周期,因?yàn)樗鼈兊膶懭胫芷跀?shù)量有限。
MRAM(磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)具有消除這種復(fù)雜性的潛力,并使KAM和NVM的管理過程更輕松,更強(qiáng)大。板載MRAM器件與下一代動(dòng)力總成微處理器一起使用。創(chuàng)建了集成了最新動(dòng)力總成微控制器,
everspin MRAM MRA16A(2個(gè)x16位)和MR2xH50(@ SCK 40MHz)芯片的原型板。
汽車工業(yè)正在引入新的非易失性存儲(chǔ)器,例如
mram芯片,相控存儲(chǔ)器(PCRAM)和RRAM。這些新的存儲(chǔ)器在汽車改變狀態(tài)條件期間提供了存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)方面的改進(jìn)。動(dòng)力總成控制研究與發(fā)展(PCRA)團(tuán)隊(duì)與Everspin和微控制器供應(yīng)商合作,使用下一代動(dòng)力總成控制器快速構(gòu)建外部MRAM的原型。
非易失性存儲(chǔ)器
當(dāng)前,引擎控制單元(ECU)使用非易失性存儲(chǔ)器(NOR FLASH)來存儲(chǔ)日志記錄數(shù)據(jù)(DFLASH)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在DFLASH中,并在點(diǎn)火鑰匙關(guān)閉(或稱為KO(鑰匙關(guān)閉))后記錄。該數(shù)據(jù)用于完善用于控制傳動(dòng)系統(tǒng)的算法的系數(shù),并確定傳感器輸入是否已超過預(yù)定極限。必須存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)(例如,在發(fā)動(dòng)機(jī)和車輛組裝期間從條形碼讀取中捕獲的單個(gè)噴油器微調(diào)數(shù)據(jù),變速箱電磁閥特性數(shù)據(jù)以及永久性P代碼等)。 KAM類型的數(shù)據(jù)(例如自適應(yīng)表)需要在密鑰循環(huán)后保留,但是如果丟失,可以重新使用。
DFLASH和當(dāng)前發(fā)行的限制銀行掉期操作是當(dāng)前DFLASH的限制。將非易失性數(shù)據(jù)寫入DFLASH需要花費(fèi)幾秒鐘的時(shí)間。當(dāng)發(fā)生存儲(chǔ)區(qū)交換時(shí),D-Flash的未使用存儲(chǔ)區(qū)將被刪除,在已刪除存儲(chǔ)區(qū)上建立文件系統(tǒng),最后將搜索舊存儲(chǔ)區(qū)以找到最新數(shù)據(jù),然后將其復(fù)制到新存儲(chǔ)區(qū)中。在發(fā)生大多數(shù)問題的銀行掉期過程中,密鑰有足夠的時(shí)間重新出現(xiàn)。在不同的應(yīng)用程序版本和車輛類型之間,以這種方式支持的NVRAM數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的數(shù)量和大小可能會(huì)有所不同。更新請求的頻率是可變的,某些情況是基于特定事件的發(fā)生(例如,車輛配置信息已更改或需要存儲(chǔ)新的診斷事件)。
本文關(guān)鍵詞:everspin mram芯片
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