Crossbar悄無聲息地帶來了一個全新的、極具吸引力的替代性存儲器技術(shù)。他們解決方案的關(guān)鍵是將ReRAM內(nèi)置于存儲單元之中，不像其它ReRAM技術(shù)還需要一個單獨的外部設(shè)備，這無疑會帶來噪音等諸多問題。而這也就會顯示出Crossbar方案的極大優(yōu)勢。鉬CrossbarReRAM技術(shù)基于一個簡單的結(jié)構(gòu)，采用CMOS工藝常用的材料以及標準的制造工藝，無需任何特別的機器設(shè)備或者材料，就可以很容易地在現(xiàn)有的CMOS工廠進行制造。由于Crossbar ReRAM采用了低溫后段制程工藝整合，所以多層Crossbar ReRAM陣列可以被整合到CMOS邏輯晶圓之上，從而創(chuàng)建出3D ReRAM存儲芯片。

Crossbar ReRAM單元存儲介質(zhì)是包裹絕緣性非晶硅（a-Si）的金屬絲，這與在閃存單元里電子存儲的形式有很大不同，因為哪怕是少量的電子損耗都會引發(fā)可靠性問題，所以鎖定電子就變成了一個艱巨的挑戰(zhàn)。這也是為什么閃存的性能在較小的制程工藝尺寸上會有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不會影響設(shè)備的性能，并且有望被用于10納米以下的尺寸。

CrossbarReRAM技術(shù)具有眾多特性，可以實現(xiàn)多種全新的存儲解決方案類別。Crossbar ReRAM單元的內(nèi)置選擇特性允許不同的內(nèi)存陣列配置，一個晶體管可以驅(qū)動一個或者成千上萬個內(nèi)存單元，從而實現(xiàn)了針對不同目標應用的靈活設(shè)計：嵌入式代碼存儲的快速讀取和處理器的直接執(zhí)行，或者對存儲數(shù)據(jù)的高密度、低延滯讀取。

Crossbar ReRAM技術(shù)相較于NAND閃存能夠?qū)⒆x取延滯降低到1/100，將寫入速度提升20倍，而且還可以不受限制地對數(shù)據(jù)進行反復擦除。CrossbarReRAM技術(shù)可以以小頁模式建構(gòu)，可以被獨立地擦除或者重新編程。通過移除無用單元回收所要求的大量后臺內(nèi)存讀取，這種全新的存儲架構(gòu)大大簡化了存儲控制器的復雜度。該技術(shù)的寫入放大率為1，從而為用戶帶來低的讀寫延滯、更低功耗以及存儲解決方案更長生命周期的好處。

憑借這些突破性的性能和可靠性、超高的容量、低功耗以及針對多種存儲架構(gòu)的可調(diào)性，Crossbar將為消費電子、企業(yè)存儲、移動計算、工業(yè)/汽車/醫(yī)療、物聯(lián)網(wǎng)以及可穿戴設(shè)備應用帶來一波新的創(chuàng)新。


本文關(guān)鍵詞：ReRAM 消費電子  物聯(lián)網(wǎng)
 
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