據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，2017年全年DRAM整體價(jià)格漲幅將高達(dá)39%，在智能手機(jī)存儲(chǔ)器容量增加以及服務(wù)器需求的帶動(dòng)下，明年將出現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)現(xiàn)象。

　　
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2016年第四季度DRAM供不應(yīng)求，以至于2017年第一季度上漲30%以上。從DRAM市場(chǎng)整體情況來(lái)看，今年第三季度平均漲幅約7%，未來(lái)第四季度漲幅約5%-10%，雖然漲幅差不多，但是到了2018年，漲幅會(huì)逐漸趨于平穩(wěn)，相比2017年，漲幅不會(huì)太大。

　　
DRAM連續(xù)一年漲幅的主要原因?yàn)橐韵聨c(diǎn)：
第一，近年來(lái)，華為、小米以及OPPO等國(guó)產(chǎn)手機(jī)開始走中高端路線。
第二，數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器對(duì)于DRAM需求變強(qiáng)。
第三， DRAM產(chǎn)業(yè)制程接近極限，技術(shù)研發(fā)難度增加，導(dǎo)致供貨短缺。

　　
關(guān)于NAND Flash未來(lái)走勢(shì)情況，據(jù)業(yè)者分析，今年第四季度在蘋果需求的影響下，其缺口會(huì)逐漸擴(kuò)大，但是除蘋果之外，其他手機(jī)廠商用不上NAND Flash，所以其整體相對(duì)于第三季度會(huì)處于平衡狀態(tài)。明年第一季度為傳統(tǒng)淡季，整體價(jià)格可能會(huì)不升反降。

　　
在芯片市場(chǎng)的沖擊下，美光科技、三星電子以及SK海力士等三大巨頭直接霸占了90%以上的市場(chǎng)份額，強(qiáng)勢(shì)控制價(jià)格增長(zhǎng)的比率。至于國(guó)內(nèi)外其余芯片企業(yè)，則“分羹”較少，處于緊追猛趕的狀態(tài)，但整體來(lái)看，國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)短期內(nèi)也是呈現(xiàn)欣欣向榮之景。


本文關(guān)鍵詞：NAND Flash   DRAM

相關(guān)文章：AT45DB161B存儲(chǔ)器讀/寫子程序