中國進入DRAM領(lǐng)域
2018-03-12 15:04:51
中國想進入DRAM市場成為競爭者,但DRAM是一個成熟的競爭市場。在高端市場,三星正在研發(fā)18nm的DRAM。
但是,中國的DRAM制造商正在開發(fā)22nm器件作為起點。IC Insights公司的McClean表示:“這項技術(shù)不會接近行業(yè)前沿。它有市場, 但很小。”
中國可以在DRAM上得到一些助推。政府可以強制要求中國的OEM必須在其系統(tǒng)中采用一定比例的國產(chǎn)DRAM。但McClean表示:“如果你讓中國的電子系統(tǒng)生產(chǎn)商使用不具備競爭力的存儲技術(shù),那么就會讓它們在市場中處于不利地位。”
中國的Innotron公司攻堅克難,正準備推出首款22nm移動DRAM。Innotron位于中國東部的安徽省省會合肥市,是由兆易創(chuàng)新和合肥市政府組建的合資企業(yè)。
據(jù)IC Insights稱,Innotron將在2018年第一季度將設(shè)備移動到一座新的300mm晶圓廠??偼顿Y將達到72億美元,總產(chǎn)能為125,000 wpm。
許多人期待著Innotron能夠從兆易創(chuàng)新那里學(xué)習(xí)到一些先進技術(shù),兆易創(chuàng)新是一家flash存儲器無晶圓供應(yīng)商。前段時間,兆易創(chuàng)新宣布收購專業(yè)DRAM制造商芯成半導(dǎo)體有限公司(ISSI)的計劃,ISSI由中國的一個投資財團Uphill Investment所擁有。但是兆易創(chuàng)新和ISSI的交易突然終止了。
與此同時,在2016年,福建晉華集成電路有限公司(JHICC)在中國南部的福建省晉江市的一座300mm晶圓廠開始動工,耗資達56.5億美元。JHICC的投資者包括包括福建電子信息公司和晉江能源投資公司。
今年第三季度,JHICC計劃投產(chǎn)22nm專業(yè)DRAM。它從與聯(lián)電的授權(quán)/研發(fā)聯(lián)盟中獲得技術(shù)。而聯(lián)電不參與JHICC的運營。
但是,JHICC遇到了一些法律問題。據(jù)起訴書說,去年12月,美光公司對JHICC和聯(lián)電提起了訴訟,指控其竊取了美光的技術(shù)。隨后,在1月份,聯(lián)電向美光提出了反訴,聲稱美光侵犯了聯(lián)電的專利。目前,訴訟仍在進行中。
IP問題只是其中一個挑戰(zhàn)。在一個艱難的市場中,中國的存儲器制造商也面臨著激烈的競爭。IC Insights公司的McClean表示:“我認為這可能和中國在代工行業(yè)的做法差不多,他們有10%的市場份額?;蛟S中國將獲得10%的存儲器市場,我不認為會是零。但我認為三星、美光和海力士短期內(nèi)不會損失大量的市場份額。”
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